晶片依據功能的不同，可以分成 4 大類：
記憶體 IC（Memory IC）：用來儲存資料。依據停止供電後，資料是否能繼續儲存。
微元件 IC（Micro Component IC）：具有特殊資料處理功能的元件。
邏輯 IC（Logic IC）：進行邏輯運算的 IC。
類比 IC（Analog IC）：處理類比訊號的 IC
Flash
目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。
NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH裡面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。
NAND Flash沒有採取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個字節，採用這種技術的Flash比較廉價。用戶不能直接運行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來運行啟動代碼。
一般小容量的用NOR Flash，因為其讀取速度快，多用來存儲作業系統等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常見的NAND FLASH應用是嵌入式系統採用的DOC(Disk On Chip)和我們通常用的"閃盤"，可以在線擦除。目前市面上的FLASH 主要來自Intel，AMD，Fujitsu和Kioxia(Toshiba)，而生產NAND Flash的主要廠家有Samsung和Kioxia(Toshiba)。
NOR VS NAND
性能比較
Flash快閃記憶體是非易失記憶體，可以對稱為塊的記憶體單元塊進行擦寫和再編程。任何Flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位元都寫為0。
由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多只需要4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小檔時)，更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
● NAND的寫入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
介面差別
NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。NAND器件使用複雜的I/O口來串列地存取資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、位址和資料資訊。
NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的記憶體就可以取代硬碟或其他塊設備。
容量和成本
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。
NOR flash佔據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合於資料存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所占份額最大。
可靠性和耐用性
採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性
壽命(耐用性)
在NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND記憶體除了具有10比1的塊擦除週期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND記憶體塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。
一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵檔上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。
當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體，NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候，同時使用EDC/ECC演算法。
這個問題對於用NAND存儲多媒體資訊時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲作業系統、配置檔或其他敏感資訊時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。
壞塊處理
NAND器件中的壞塊是隨機分佈的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不划算。
NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
易於使用
可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體，可以像其他記憶體那樣連接，並可以在上面直接運行代碼。
由於需要I/O介面，NAND要複雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。
在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程式，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入資訊需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。
NAND Flash
非揮發性記憶體最常見的產品是 NAND Flash ，在理想狀況下以PCIe 傳輸介面與 NAND Flash 為儲存單元的固態硬碟（SSD）讀取速度可達 3.5GB /s，寫入速度可達 3.0GB /s，遠高於傳統以磁碟為儲存單元的硬碟（HD），低於 0.2GB /s的寫入與傳輸速度，SSD每GB終端售價大約 0.1 美元/GB（主流低規格版本，讀寫速度是 HD2.5 倍以上），HD大約 0.3 美元/GB， 10 年前SSD的成本還是傳統硬碟的 10 ~ 20 倍，目前已縮小到 3 倍左右，未來SSD可能完全取代HD。 NAND Flash 目前用來儲存一般的文件、圖片、應用程式等等
NOR Flash
NOR Flash 近年因藍芽耳機大賣備受市場注目， NOR Flash 也是一種非揮發性記憶體。 NOR Flash 在單個檔案 4KB 的隨機讀取速度可以高達 400MB /s以上，而主流頂規的SSD（ NAND Flash ）只有~ 50MB /s，但在隨機單個檔案 1MB 以上的隨機讀取速度SSD可以高達 2000MB /s以上， NOR Flash 則還是維持在 400MB /s左右， NOR Flash 在系統執行每個檔案小且檔案多的讀取時速度較快。
另外 NOR Flash 在待機時的耗電量也比 NAND Flash 低，前者大約是後者的 1 / 5 ，不過 NOR Flash 的寫入速度極慢一般低於 1MB /s，不適合頻繁修改 NOR Flash 裡的資料。 NOR Flash 一般應用在 BIOS（開機啟動硬體時所需的程式，非作業系統），近年因低功耗的特性，在物聯網裝置（藍芽耳機即為一例）、基地台、車用電子等應用的範圍較以前擴大。
留言列表
