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#英特爾 公司 2025 年技術發展圖：#4nm 、 #3nm、  #20A 和  #18A ？！ （作者：Ian Cutress  💡）

在昨天的 Intel Accelerated 活動中，該公司正在考慮到 2025 年的目標。首席執行官 Pat Gelsinger 在今年早些時候表示，英特爾將在 2025 年重返產品領導地位，但尚未解釋這是如何實現的即將到來——直到昨天，英特爾已經披露了其到 2025 年的未來五代製程節點技術的路線圖。英特爾相信它可以採取積極的戰略來匹配和超越其代工競爭對手，同時開發新的封裝產品並為外部客戶開展代工業務。除此之外，英特爾還重新更名各製程以符合市場潮流（台積電與三星的製程命名方式），因為Intel本來2022年10nm的Alder Lake/Sapphire Rapids及2023年7nm的Meteor Lake/Granite Rapids所用製程， 確實跟台積電的7nm及4nm在poly（Polysilicon；多晶矽）、metal（金屬）、fin pitch（鰭間距；fin pitch）及performance效能上不相上下

英特爾更新製程命名重點：

1. 10nm SuperFin加強版正名成7nm，TSMC 2Q18 vs. Intel 2Q22差4年
2. 7nm正名成4nm，TSMC 2Q22 vs. Intel 2Q23差一年
3. 第一次宣布的Intel 3nm要在2023年下半年投片量產vs. TSMC 2H22 差一年
4. Intel 2nm/20A Angstrom埃米（有Ribbon FET、PowerVia、GAA）跟台積電2nm/20A 投片量產時點不相上下
5. Intel 1.8nm/18A要使用改良版的RibbonFET，還有使用ASML最新的高數值孔徑High NA EUV。
6. Intel首次宣布在2024年搶下高通20埃米晶圓代工產品，亞馬遜的AWS將成為Intel第一個代工客戶使用Intel先進封裝解決方案