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進入納米片晶體管時代 - 回顧 3nm 及以上納米片器件架構的優勢和挑戰：納米片、叉片和 CFET（EETimes | 電子工程時報 💡）

先進的 IC 正接近一個關鍵的拐點。然而，芯片行業從不急於轉向新的晶體管架構以實現芯片的大批量生產，因為這會帶來新的複雜性和投資。但三星、英特爾、台積電和 IBM 最近的公開聲明表明，我們正處於這種轉變的前夜。從 2022 年或 2023 年開始，這些公司已經接受必須從主力 FinFET 晶體管架構逐漸過渡到納米片狀架構，以生產 3nm 或 2nm 技術代的邏輯芯片。

這一歷史性轉變背後的主要驅動力是什麼？ EETimes |電子工程時報回答了這個問題，並將介紹不同代的納米片架構系列，包括納米片、叉片和 CFET。對於這些納米片家族成員中的每一個，我們將根據進一步的 CMOS 縮放來評估增量收益，並討論關鍵工法步驟。

目前3納米之前採用奈米片Nanosheet、2納米採用叉片Forksheet、1納米採用CFET。