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ASML 的 EUV 發射器存在處理量問題，但 Lyncean Technologies, Inc. 通過將 EUV 光源功率提高一個量級來解決這個問題（作者：@Dylan Patel 💡） 

EUV 光源功率是前沿晶圓製造的瓶頸因素。目前，每台價值 1.5 億美元的 EUV 機器都有一個功率為幾百 W 的鐳射光源。 ASML 與TRUMPF一起出色地完成了將功率從不到 100W 擴展到我們今天的水平，但這還不夠。目前的 EUV 使用 CO2 鐳射射向錫液的微小液滴以發射 EUV 光。

這種極紫外光通過收集鏡收集、聚焦，然後用於在晶片上形成圖案。這種方法不會永遠適用，它已經是一個限制因素。隨著即將到來的高NA EUV，它將成為一個更大的限制因素。 

台積電 N3 每片晶圓將有大約 30-35 次 EUV 曝光。擁有 10 台 EUV 機器運行 N3 晶圓的台積電晶圓廠在當前的功率輸出和正常運行時間率下每月只能生產約 15,000 個晶圓。

因此，該行業需要 EUV 機器具有更高功率的光源，否則前沿將受到嚴重限制。這個解決方案還很遙遠，但它有不少投資者，包括英特爾。 

Lyncean 不是向錫滴發射鐳射並試圖收集光線，而是將鐳射發射到同步加速器中。