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  • 7月 24 週六 202109:53
  • 聊聊~半導體 基礎 概論 IC封裝

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半導體封裝(semiconductor package),是一種用於容納、包覆一個或多個半導體元件或積體電路的載體/外殼,外殼的材料可以是金屬、塑料、玻璃、或者是陶瓷。當半導體元元件核心或積體電路等從晶圓上刻蝕出來並切割成為獨立的晶粒以後,在積體電路封裝階段,將一個或數個晶粒與半導體封裝組裝或灌封為一體。半導體封裝為晶粒提供一定的衝擊/劃傷保護,為晶粒提供與外部電路連接的引腳或觸點,在晶粒工作時幫助將晶粒工作產生的熱量帶走。

一種半導體封裝最少有兩個引腳或觸點,用以和電路中的某兩端連接,這樣的元件例子有二極體,如果封裝的晶粒是微處理器類別的積體電路,則用於此晶片的封裝需要提供上百甚至上千個觸點或引腳。一些非常小型的半導體封裝,一般用觸點或細引線與外部電路接合。而一些較大型的積體電路以及一些大功率的半導體元元件,特別是需要較多高功率電能消耗的應用場合,則需重視封裝的導熱及散熱能力,以便帶走這些晶片在工作時產生的廢熱。

除了為被封裝的半導體晶粒提供連接能力以及導熱散熱能力以外,半導體封裝還必須將晶粒與外界保護起來,比如絕對不允許有濕氣滲入的情況。游離顆粒或是封裝內部出現腐蝕情況也會使半導體元元件、積體電路的運行效能大打折扣甚至損壞。[1]有的晶粒還要求其半導體封裝提供密封、與外界環境無氣體液體交換等能力,一般會用玻璃、陶瓷或金屬作為封裝材料。

半導體封裝標準也有不同國家的以及國際的標準,這些標準有JEDEC、Pro Electron、EIAJ等
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  • 個人分類:半導體相關
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  • 7月 23 週五 202108:55
  • 聊聊~半導體 基礎 概論 IC測試 (Wafer Probe)


slide image晶圓針測的方法是利用極為精密的探針 (Probe Needle),與晶片的電性接點 (Pad) 接觸,經由探針界面卡 (Probe Card),將測試所需之訊號由測試機 (Tester)送 進晶粒內,並接收對應之晶粒輸出訊號,再傳回測試機台,並依測試程式來判斷 晶圓功能是否符合設計規格

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  • 個人分類:半導體相關
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  • 7月 23 週五 202108:01
  • 聊聊~ASML 21Q2 淨銷售額

1626941005202.jpeg

ASML 控股公司(#ASML )公佈了2021年第二季度業績:

- 第二季度凈銷售額為40億歐元,毛利率為50.9%,凈利潤為10億歐元

- 第二季度凈預訂83億歐元

- ASML 預計 2021 年第 3 季度凈銷售額在 52 億歐元至 54 億歐元之間,毛利率在 51% 到 52% 之間

- ASML 宣佈一項高達 90 億歐元的新股票回購計劃,該計劃將於 2023 年 12 月 31 日之前執行
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  • 個人分類:半導體相關
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  • 7月 22 週四 202109:59
  • 聊聊~半導體 基礎 概論 摩爾定律 未來發展

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先不論成本優勢的面向

科技面上電晶體的密度如何提升仍是需要解決的課題

目前世界積極研究的方向有

晶片製造技術

封裝技術

材料開發
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  • 個人分類:半導體相關
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  • 7月 21 週三 202109:41
  • 聊聊~半導體 基礎 概論 摩爾定律

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摩爾定律(英語:Moore's law)是由英特爾(Intel)創始人之一戈登·摩爾提出的。其內容為:積體電路上可容納的電晶體數目,約每隔兩年便會增加一倍;經常被參照的「18個月」,是由英特爾執行長大衛·豪斯(David House)提出:預計18個月會將晶片的效能提高一倍(即更多的電晶體使其更快),是一種以倍數增長的觀測。

半導體行業大致按照摩爾定律發展了半個多世紀,對二十世紀後半葉的世界經濟增長做出了貢獻,並驅動了一系列科技創新、社會改革、生產效率的提高和經濟增長。個人電腦、網際網路、智慧型手機等技術改善和創新都離不開摩爾定律的延續。
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  • 個人分類:半導體相關
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  • 7月 20 週二 202109:37
  • 聊聊~半導體 基礎 概論 IC製造

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再談完IC種類以及延伸,我門開始進入IC製造

IC製造的流程是將晶圓廠所做好的晶圓,以光罩印上電路基本圖樣,再以氧化、擴散、CVD、蝕刻、離子植入等方法,將電路及電路上的元件,在晶圓上製作出來。由於IC上的電路設計是層狀結構,因此還要經過多次的光罩投入、圖形製作、形成線路與元件等重複程序,才能製作出完整的積體電路。
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  • 個人分類:半導體相關
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  • 7月 18 週日 202114:54
  • 聊聊~半導體 基礎 概論 半導體產業 金屬-氧化物-半導體場效電晶體 (MOSFET)

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台股有許多熱門的話題,像是被動元件、缺貨題材等等,也經常有人討論MOSFET,這到底是什麼意思呢?MOSFET,它是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫,中文翻作金屬氧化物半導體場效電晶體,
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  • 個人分類:半導體相關
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  • 7月 17 週六 202122:32
  • 聊聊~半導體 基礎 概論 半導體產業 場效應電晶體(FET)

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場效電晶體(英語:field-effect transistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應控制電流的電子元件。

它依靠電場去控制導電通道形狀,因此能控制半導體材料中某種類型載子的通道的導電性。場效應電晶體有時被稱為「單極性電晶體」,以它的單載子型作用對比雙極性電晶體。由於半導體材料的限制,以及曾經雙極性電晶體比場效應電晶體容易製造,場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出,但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。

場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明,但是實用的元件一直到1952年才被製造出來(結型場效應電晶體)。1960年Dawan Kahng發明了金屬氧化物半導體場效應電晶體,從而大部分代替了JFET,對電子行業的發展有著深遠的意義。
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  • 7月 16 週五 202122:16
  • 聊聊~半導體 基礎 概論 半導體產業 雙極性電晶體(BJT)

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雙極性電晶體(英語:bipolar transistor),全稱雙極性接面型電晶體(bipolar junction transistor, BJT),俗稱三極體,是一種具有三個終端的電子元件。雙極性電晶體是電子學歷史上具有革命意義的一項發明,其發明者威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布喇頓被授予1956年的諾貝爾物理學獎。

這種電晶體的工作,同時涉及電子和電洞兩種載子的流動,因此它被稱為雙極性的,所以也稱雙極性載子電晶體。這種工作方式與諸如場效應管的單極性電晶體不同,後者的工作方式僅涉及單一種類載子的漂移作用。兩種不同摻雜物聚集區域之間的邊界由PN接面形成。
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  • 7月 15 週四 202122:01
  • 聊聊~半導體 基礎 概論 半導體產業 電晶體 及 真空管

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摩爾定律指的是積體電路上可容納的電晶體數目,約每隔十八個月到兩年增加一倍、性能也提升一倍,所以與其說是“定律”,其實它更像是一個用來描述積體電路產業演進軌跡的指標



那~什麼是電晶體?
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