前面提到矽製備成晶圓的流程
今天來深入補充一下 方法的部分
矽的初步純化
矽的初步純化 → 多晶矽的製造 → 矽晶圓製造
矽的初步純化：
方程式：
SiO2 + C → Si + CO2
SiO2 + 2C → Si + 2CO
將『二氧化矽』的礦石(砂)，與定量的碳在電弧爐中約2000度高溫中冶煉，產生達到99.0%以上純度的矽塊(粉)也就是冶金級矽
多晶矽的製造
矽的初步純化 → 多晶矽的製造 → 矽晶圓製造
西門子式製程方程式：
Si + 3HCl → HSiCl3 + H2 (氯化)
HSiCl3 → HSiCl3 (蒸餾)
HSiCl3 + H2→Si + 3HCl (分解)
將『冶金級矽』粉碎，經以高溫及鹽酸等處理後純化為99.99999(小數點後.5個9)，即可做為太陽能電池的原料，(.9個9以上可以做為IC級晶片原料)
西門子式製程是最古早的製程，是用來製造半導體級多晶矽的，目前有75%左右的公司採用。優點是良率高，但缺點則是投資成本高、製造成本高、汙染較嚴重。
基於此，另外還有一些製成方式，如改良式西門子製程、REC式製成等，目前有少量公司採用，優點是較便宜、省電、輕汙染，缺點則是良率較低，一般是用在製造太陽能級矽晶圓用。
矽晶圓製造
矽的初步純化 → 多晶矽的製造 → 矽晶圓製造
IC製造用的矽晶圓都是單晶矽晶圓，而太陽能電池製造用的矽晶圓則是單晶矽晶圓與多晶矽晶圓皆有。一般來說，單晶矽的效率會較多晶矽高，當然成本也較高
這裡是台灣最熱鬧的地方，有做太陽能晶圓的綠能(3519)、達能(3686)，做半導體晶圓的台勝科(3532)、尚志(3579)，與兩者兼做的中美晶(5483)、合晶(6182)。基本上，矽晶圓製造是兩個步驟：長晶(拉晶)→切晶
長晶(拉晶)：
製程方式：
單晶矽：CZ法、FZ法
多晶矽：casting
矽單晶通常以柴氏法或浮區法成長。圖為柴氏法成長單 晶示意圖。大致上是將矸鍋中，盛有高純度矽的熔融液 (維持在矽熔點攝氏1414度以上的高溫 )利用長條狀的晶 種與熔液接觸，再緩緩升起。單晶在固體晶種與熔液界 面成長。目前矽單晶成長技術已相當成熟，可長成一米 長，直徑超過二十公分的龐大晶體。其純度可達到每十 億矽原子中僅含一個雜質原子，而晶體中幾乎 全無缺陷。
矽晶圓製造
長成的圓柱形矽晶棒首先經切割成晶片。晶片的厚度選取隨其直徑增加而增加，一般約數百微米。切割好的晶片再經機械研磨及化學侵蝕，將表面磨光平滑如鏡，即成為積體電路基底的晶圓。
切割常見有刀切以及線切割，刀切的切面平坦但線切的磨耗少產速快。
(1)半導體用的晶圓大都是切成圓片，送往IC製造廠；而太陽能用的矽則是切成方的，送往太陽能電池製造廠
(2)大晶圓(12吋)多是用來製作記憶體等技術層次較低的IC，而小晶圓(6吋)則多用來製作類比IC等技術層次較高之IC，8吋的話則都有
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