* 加快發展第三代半導體SiC和GaN 瞄準未來材料
8月26日，據日經報導，日本富士電機將額外投資 400 億日元（3.65 億美元），以擴大功率半導體的生產，400億中大約 250 億日元的額外資金將用於在該公司的馬來西亞工廠開始生產 8 英寸矽片，這將比之前在那裡生產的 6 英寸矽片的製造效率更高。
富士電機計劃在2023財年左右開始在馬來西亞生產功率半導體，另外 150 億日元將用於其他地方的擴張，包括公司在日本的松本工廠。 400億日元是富士電機在2022財年之前的四年中指定的1200 億日元的基礎上，從 2023 財年的原始時間框架上調，以滿足意外的強勁需求。富士電機預計，包括電力半導體在內的半導體領域的銷售額將從2018財年增長53%，在其五年計劃的最後一年2023財年達到2100億日元。
也是在近日，韓國半導體晶圓製造商SK Siltron宣布計劃將在Bay County工廠投資 3 億美元，SK Siltron CSS 生產由碳化矽製成的特種晶圓，可用於電動汽車的半導體功率組件。 2019 年收購了密歇根州的碳化矽晶圓業務，並將 SK Siltron CSS 設立為美國子公司。
8月24日消息，昭和電工籌措了約1,100億日元資金，拿出約700億日元將用於擴增SiC晶圓等半導體材料產能。細項來看，昭和電工計劃投資58億日元增產使用於功率半導體的SiC晶圓以及鋰離子電池材料、增產工程預計於2023年12月完工；投資59億日元增產電子材料用高純度氣體、預計2023年12月完工；投資232億日元提高研磨液(CMP Slurry)產能及改善質量、預估2023年12月完工；投資248億日元增產使用於印刷電路板(PCB)的銅箔基板(CCL、Copper Clad Laminate)、感光性薄膜，預計2024年3月完工。
8月6日，富士康旗下的鴻海以25.2億元收購旺宏位於竹科的6英寸晶圓廠，後續還要斥資數十億元添購新設備，鎖定當紅的第三代半導體碳化矽（SiC）元件。據悉，這座晶圓廠以研發為主，小量生產SiC元件所需晶圓，未來也將製造SiC模組。 7月29日，意法半導體成功製造 200mm 碳化矽晶圓，此舉也預示著SiC晶圓進入了8英寸時代，由於200mm晶圓的集成電路可製造面積大約是150mm晶圓的兩倍，因此公司每片晶圓可取芯片數量為1.8至1.9倍，可提高成本效益。
在SiC的佈局上，Cree可謂是最早、手筆最大的廠商，Cree於2019年開始建設的位於紐約州馬西鎮（Marcy）的碳化矽晶圓廠有望在2022年初投產，這被稱作是“世界上最大”的碳化矽晶圓廠，聚焦車規級產品，是科銳10億美元擴大碳化矽產能計劃的一部分。
羅姆也計劃在今後5年內投資600億日元，將使用於EV的SiC功率半導體產能擴增至現行的5倍。
GaN領域今年的新項目也不少
8月10日，封測巨頭晶方科技1000萬美元投資以色列半導體領域第三代氮化鎵設備龍頭VisIC，佈局第三代半導體。
8月24日，宏光照明控股也投資了VisIC，日前，宏光還宣布即將改名為“宏光半導體”，這次改名宣告宏光正式跨入新的第三代半導體時代，而且宏光半導體已經引入移動電源的兩大客戶羅馬仕與鴻智電通。
8月11日，大陸大連金普新區管委會與深圳正威集團簽署總投資達300億元的戰略合作協議，根據協議，雙方將合作建設以氮化鎵半導體為核心的第三代半導體產業基地。
8月14日，賽微電子表示其GaN 業務子公司聚能創芯的GaN芯片產線正在建設過程中，公司在GaN外延晶圓、GaN芯片方面均已有成熟的系列化產品，正以“虛擬IDM”模式在進行全產業鏈佈局。
* 瞄準氧化鎵未來
除了Si功率器件和大熱的第三代半導體之外，業界也開始對氧化鎵(Ga2O3 )投入了興趣。氧化鎵被視為是更新一代的半導體材料，它比起以往的電子元件更有效率，在晶圓價格方面也比SiC 等要更為低廉。據Fact.MR的研究，與2020年相比，預計2030年全球氧化鎵市場的價值將增加 2.8 倍。其中5N級（氧化鎵市場等級有4N、5N、6N）產品佔據全球氧化鎵市場近66%的份額，到2030年將創造1320萬美元的機會。氧化鎵產品種類主要為α-氧化鎵和β-氧化鎵，而β-氧化鎵基板將主導產品領域，預計到2030年將達到2780萬美元。
據日本氧化鎵企業Novel Crystal Technology（NCT）的介紹，β-氧化鎵是一種新型的半導體功率器件材料，具有比SiC和GaN更大的帶隙能量。因此，很有可能被用於製造高電壓、低電阻的半導體。此外，由於它是從熔體中生長β-氧化鎵單晶，與SiC和GaN相比，它的生長速度較快，而且其載體流程也較容易，所以可以以低成本向市場提供高質量的基材。
圖源：Novel Crystal Technology（NCT）
在氧化鎵方面的研究，日本相對較領先，其中Tamura Corporation, Novel Crystal Technology, 和Kyma Technologies是比較領先的氧化鎵供應商。 2012年日本首先實現2英寸氧化鎵材料的突破。今年6月16日，日本半導體企業Novel Crystal Technology（NCT）全球首次成功量產了100mm（4英寸）的“氧化鎵”晶圓。這是氧化鎵晶圓首次在全球範圍內實現量產。
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